flashreaddisturb

由 D Sheldon 著作 · 被引用 13 次 — Disturb testing is designed to study the robustness of the data storage of the flash cells when the state of a nearby cell is being changed, either through ...

2017年12月27日 — Nand Flash学习笔记3-Read Disturb 原创 · 1. 记录块的读次数，超过阈值的时候，把数据转移。 · 2. 周期性检测块的某些页，检测到有异常，把数据转移。

由 Y Cai 著作 · 被引用 232 次 — Read disturb is a well-known phenomenon in NAND flash memory, where reading data from a flash cell can cause the threshold voltages of other (unread) cells in ...

Read retry: This feature is designed for flash memory to adjust the read reference voltage and eliminate the read error. Recommended Products. MTE470A ...

2022年4月18日 — 3D Flash Memory ; 1.1.串電流的 減小 ; (Read Disturb 上升 ; ->Vread 下降 ; ->串電流 下降 ; 1.2.高層和低層單元特徵的差異性 增大 ...

2022年9月11日 — 因此會造成輕微寫的情況，進而可能出現讀干擾(Read Disturb)。 寫的情況之下則會出現兩種干擾，Program Disturb & Pass Disturb: 1. Program Disturb ...

工業用Flash解決方案 · 隨身碟. USB 快閃記憶 ... 快閃記憶體(NAND flash memory)是相當普及的儲存媒介 ... 不過，隨著奈米製程的演進，記憶體單元越做越小，「讀取干擾」(Read ...

2016年4月7日 — 抛砖引玉，在此也希望同行分享一下你们是如何对付Read Disturb的。 参考文章：flash-read-disturb-errors_dsn15. 分类目录未分类.